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昆士兰大学澳大利亚生物工程与纳米技术研究所(AIBN)和化学与分子生物科学学院(SCMB)的DebraBernhardt教授说，再气重不足美洲缺潜在的应用包括电信、再气重不足美洲缺自动接入系统和医疗设备。然而，力严形成高度规则的二维(2D)碳氮化合物晶体结构是困难的，这使得大多数合成的碳氮化合物薄膜不适合纳米电子应用。

绑难c,双层C3N的结合能(黑色方块)和带隙(红色圆圈)与扭曲角的关系。例如，解欧局基于半导体碳纳米管的场效应晶体管(FET)已经得到了广泛的探索，因为这种材料具有中等大小的带隙。气困b,扭曲角为θ的C3N双分子层的原理图。

石墨烯等碳材料由于具有高机械强度、欧洲欧捆电导率和导热性等特性，在电子器件的开发中具有潜在用途。最近，再气重不足美洲缺晶体C3N被制造出来，并显示出出色的机械和电子性能通过层间范德华(vdW)耦合来设计二维半导体的光学和传输特性是二维电子学发展的关键。

图2.AA,AA，力严AB,AB堆垛C3N双层的能带结构和部分电荷分布。

计算和实验表明，绑难AA和AB堆垛的双层比分离的单层和AA和AB堆垛的双层在能量上更有利。解欧局三所高校自建国以来就是材料科学与工程人才重要培养基地（尤其是金属材料方面）。

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